1. ScholarBank@NUS

Chen Jingde

rp08145

Collaboration Map View Statistics Email Alert RSS Feed

Profile

Full Name
Chen Jingde
(not current staff)
Variants
CHEN, JINGDE
Chen, J.
JINGDE CHEN N.
JINGDE CHEN
Chen, J.D.
JINGDE, CHEN
Chen, J.-D.
 
Main Affiliation
 
Faculty
 
Email
elechenj@nus.edu.sg
 
Other emails
 

Publications

Refined By:
Author:  Li, M.F.

Results 1-18 of 18 (Search time: 0.005 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
12006Demonstration of a new approach towards 0.25V Low-Vt CMOS using Ni-based FUSIYu, H.Y.; Kittl, J.A.; Lauwers, A.; Singanamalla, R.; Demeurisse, C.; Kubicek, S.; Augendre, E.; Veloso, A.; Brus, S.; Vrancken, C.; Hoffmann, T.; Mertens, S.; Onsia, B.; Verbeeck, R.; Demand, M.; Rothchild, A.; Froment, B.; Van Dal, M.; De Meyer, K.; Li, M.F. ; Chen, J.D. ; Jurczak, M.; Absil, P.P.; Biesemans, S.
22007Interface barrier abruptness and work function requirements for scaling Schottky source-drain MOS transistorsAgrawal, N.; Chen, J. ; Hui, Z.; Yeo, Y.-C. ; Lee, S. ; Chan, D.S.H. ; Li, M.-F. ; Samudra, G.S. 
3Oct-2004Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Chen, J.D. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
413-Jun-2007Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN ; MINGFU LI ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE
515-Nov-2006Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN N. ; MINGFU LI N. ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE; KITTL JORGE ADRIAN
615-Aug-2007Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN N. ; MINGFU LI N. ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE; KITTL JORGE ADRIAN
717-Mar-2009Method of forming a Yb-doped Ni full silicidation low work function gate electrode for n-MOSFETYU, HONGYU ; JINGDE, CHEN ; MINGFU, LI ; KWONG, DIM-LEE ; BIESEMANS, SERGE; KITTL, JORGE ADRIAN
82005Modulation of the Ni FUSI workfunction by Yb doping: From midgap to n-type band-edgeYu, H.Y.; Chen, J.D. ; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Kwong, D.L.; Van Dal, M.; Kittl, J.A.; Lauwers, A.; Augendre, E.; Kubicek, S.; Zhao, C.; Bender, H.; Brijs, B.; Geenen, L.; Benedetti, A.; Absil, P.; Jurczak, M.; Biesemans, S.
9Aug-2004N-type Schottky barrier source/drain MOSFET using Ytterbium silicideZhu, S. ; Chen, J. ; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Singh, J.; Zhu, C.X. ; Du, A.; Tung, C.H.; Chin, A.; Kwong, D.L.
102005New developments in Schottky source/drain high-k/metal gate CMOS transistorsLi, M.-F. ; Lee, S. ; Zhu, S. ; Li, R.; Chen, J. ; Chin, A. ; Kwong, D.L.
11Oct-2007NMOS compatible work function of TaN metal gate with erbium-oxide-doped hafnium oxide gate dielectricChen, J. ; Wang, X.P.; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Yu, M.B.; Shen, C.; Yeo, Y.-C. 
12Feb-2004Robust High-Quality HfN-HfO 2 Gate Stack for Advanced MOS Device ApplicationsYu, H.Y. ; Kang, J.F. ; Ren, C.; Chen, J.D. ; Hou, Y.T. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Bera, K.L.; Tung, C.H.; Kwong, D.-L.
1317-Mar-2009Schottky barrier source/drain n-mosfet using ytterbium silicideZHU, SHIYANG ; CHEN, JINGDE ; LEE, SUNGJOO ; LI, MING FU ; SINGH, JAGAR; ZHU, CHUNXIANG ; KWONG, DIM-LEE 
142004Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodesZhu, S. ; Chen, J. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Zhu, C. ; Chan, D.S.H. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
15Dec-2011Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliabilityLi, M.-F. ; Wang, X.P.; Shen, C.; Yang, J.J.; Chen, J.D. ; Yu, H.Y.; Zhu, C. ; Huang, D.
162003Thermally Robust High Quality HfN/HfO 2 Gate Stack for Advanced CMOS DevicesYu, H.Y. ; Kang, J.F. ; Chen, J.D. ; Ren, C.; Hou, Y.T. ; Whang, S.J. ; Li, M.-F. ; Chan, D.S.H. ; Bera, K.L.; Tung, C.H.; Du, A.; Kwong, D.-L.
17Jan-2008Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectricWang, X.P.; Li, M.-F. ; Yu, H.Y.; Yang, J.J.; Chen, J.D. ; Zhu, C.X. ; Du, A.Y.; Loh, W.Y.; Biesemans, S.; Chin, A.; Lo, G.Q.; Kwong, D.-L.
18Mar-2006Yb-doped Ni FUSI for the n-MOSFETs gate electrode applicationChen, J.D. ; Yu, H.Y.; Li, M.F. ; Kwong, D.-L.; van Dal, M.J.H.; Kittl, J.A.; Lauwers, A.; Absil, P.; Jurczak, M.; Biesemans, S.