Full Name
Chunxiang Zhu
Variants
Zhu, C.-X.
Zhu, C.X.
ZHU, CHUNXIANG
Zhu Chunxiang
Zhu, C.
 
 
 
Email
elezhucx@nus.edu.sg
 

Refined By:
Author:  Chin, A.
Author:  Kwong, D.L.

Results 1-19 of 19 (Search time: 0.006 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
120043D GOI CMOSFETs with novel IrO 2(Hf) dual gates and high-κ dielectric on 1P6M-0.18μm-CMOSYu, D.S.; Chin, A. ; Laio, C.C.; Lee, C.F.; Cheng, C.F.; Chen, W.J.; Zhu, C. ; Li, M.-F. ; Yoo, W.J. ; McAlister, S.P.; Kwong, D.L.
22007A novel high-k gate dielectric HfLaO for next generation CMOS technologyLi, M.-F. ; Wang, X.P.; Yu, H.Y.; Zhu, C.X. ; Chin, A.; Du, A.Y.; Shao, J.; Lu, W.; Shen, X.C.; Liu, P.; Hung, S.; Lo, P.; Kwong, D.L.
32004A novel program-erasable capacitor using high-κ AlN dielectricLai, C.H.; Ma, M.W.; Cheng, C.F.; Chin, A.; McAlister, S.P.; Zhu, C.X. ; Li, M.-F. ; Kwong, D.L.
42004A tunable and program-erasable capacitor on Si with excellent tuning memoryLai, C.H.; Lee, C.F.; Chin, A.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; McAlister, S.P.; Kwong, D.L.
520-Sep-2004Electron mobility in Ge and strained-Si channel ultrathin-body metal-oxide semi conductor field-effect transistorsLow, T.; Li, M.F. ; Shen, C.; Yeo, Y.-C. ; Hou, Y.T. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.L.
6Feb-2005Germanium pMOSFETs With Schottky-barrier Germanide S/D, high-Κ gate dielectric and metal gateZhu, S. ; Li, R.; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Du, A.; Singh, J.; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.L.
72004Impact of surface roughness on silicon and Germanium ultra-thin-body MOSFETsLow, T.; Li, M.F. ; Fan, W.J.; Ng, S.T.; Yeo, Y.-C. ; Zhu, C. ; Chin, A. ; Chan, L.; Kwong, D.L.
8Nov-2003Integrated Antennas on Si With over 100 GHz Performance, Fabricated Using an Optimized Proton Implantation ProcessChan, K.T.; Chin, A.; Lin, Y.D.; Chang, C.Y.; Zhu, C.X. ; Li, M.F. ; Kwong, D.L.; McAlister, S.; Duh, D.S.; Lin, W.J.
9Oct-2004Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Chen, J.D. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
102004Low workfunction fully suicided gate on SiO2/Si and LaAlO 3/GOI n-MOSFETsYu, D.S.; Chin, A.; Hung, B.F.; Chen, W.J.; Zhu, C.X. ; Li, M.-F. ; Zhu, S.Y. ; Kwong, D.L.
11Aug-2004N-type Schottky barrier source/drain MOSFET using Ytterbium silicideZhu, S. ; Chen, J. ; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Singh, J.; Zhu, C.X. ; Du, A.; Tung, C.H.; Chin, A.; Kwong, D.L.
122004Narrow-band band-pass filters on silicon substrates at 30 GHzYu, D.S.; Cheng, C.F.; Chan, K.T.; Chin, A.; McAlister, S.P.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.L.
132005New insights in hf based high-k gate dielectrics in mosfetsLi, M.-F. ; Zhu, C. ; Shen, C.; Yu, X.F.; Wang, X.P.; Feng, Y.P. ; Du, A.Y.; Yeo, Y.C. ; Samudra, G. ; Chin, A. ; Kwong, D.L. 
142004Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodesZhu, S. ; Chen, J. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Zhu, C. ; Chan, D.S.H. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
15May-2004Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H. ; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
162004Selected topics on HfO 2 gate dielectrics for future ULSI CMOS devicesLi, M.F. ; Yu, H.Y. ; Hou, Y.T. ; Kang, J.F. ; Wang, X.P.; Shen, C.; Ren, C.; Yeo, Y.C. ; Zhu, C.X. ; Chan, D.S.H. ; Chin, A.; Kwong, D.L.
172003Very Low Defects and High Performance Ge-On-insulator p-MOSFETs with Al2O3 Gate DielectricsHuang, C.H.; Yang, M.Y.; Chin, A.; Chen, W.J.; Zhu, C.X. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Kwong, D.L.
182003Voltage and Temperature Dependence of Capacitance of High-K HfO 2 MIM Capacitors: A Unified Understanding and PredictionZhu, C. ; Hu, H.; Yu, X.; Kim, S.J. ; Chin, A.; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Kwong, D.L.
192007Work function tunability by incorporating lanthanum and aluminum into refractory metal nitrides and a feasible integration processWang, X.P.; Li, M.-F. ; Yu, H.Y.; Ren, C.; Loh, W.Y.; Zhu, C.X. ; Chin, A.; Trigg, A.D.; Yeo, Y.-C. ; Biesemans, S.; Lo, G.Q.; Kwong, D.L.