Full Name
Chunxiang Zhu
Variants
Zhu, C.-X.
Zhu, C.X.
ZHU, CHUNXIANG
Zhu Chunxiang
Zhu, C.
 
 
 
Email
elezhucx@nus.edu.sg
 

Refined By:
Author:  Chin, A.

Results 41-60 of 70 (Search time: 0.006 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
412003Investigation of Performance Limits of Germanium Double-Gated MOSFETsLow, T.; Hou, Y.T. ; Li, M.F. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Samudra, G. ; Chan, L.; Kwong, D.-L.
42Jul-2003Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitorsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
432005Lanthanide and Ir-based dual metal-Gate/HfAlON CMOS with large work-function differenceYu, D.S.; Chin, A. ; Wu, C.H.; Li, M.-F. ; Zhu, C. ; Wang, S.J.; Yoo, W.J. ; Hung, B.F.; McAlister, S.P.
44Oct-2004Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Chen, J.D. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
452004Low workfunction fully suicided gate on SiO2/Si and LaAlO 3/GOI n-MOSFETsYu, D.S.; Chin, A.; Hung, B.F.; Chen, W.J.; Zhu, C.X. ; Li, M.-F. ; Zhu, S.Y. ; Kwong, D.L.
46Sep-2005Metal-insulator-metal RF bypass capacitor using niobium oxide (Nb2O5) with HfO2/Al2O3 barriersKim, S.-J. ; Cho, B.J. ; Yu, M.B.; Li, M.-F. ; Xiong, Y.-Z.; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
472003Microwave coplanar filters on Si substratesChan, K.T.; Chin, A.; Kuo, J.T.; Chang, C.Y.; Duh, D.S.; Lin, W.J.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.-L.
48Feb-2003MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectricsHu, H.; Zhu, C. ; Yu, X.; Chin, A. ; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Kwong, D.-L.; Foo, P.D.; Yu, M.B.; Liu, X.; Winkler, J.
492003MIM capacitors with HfO2 and HfAlOx for Si RF and analog applicationsYu, X.; Zhu, C. ; Hu, H.; Chin, A.; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Kwong, D.-L.; Foo, P.D.; Yu, M.B.
50Jul-2004Mobility enhancement in TaN metal-gate MOSFETs using tantalum incorporated HfO2 gate dielectricYu, X.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Chin, A.; Yu, M.B.; Du, A.Y.; Kwong, D.-L.
51Nov-2005Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETsLow, T.; Li, M.-F. ; Samudra, G. ; Yeo, Y.-C. ; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
52Aug-2004N-type Schottky barrier source/drain MOSFET using Ytterbium silicideZhu, S. ; Chen, J. ; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Singh, J.; Zhu, C.X. ; Du, A.; Tung, C.H.; Chin, A.; Kwong, D.L.
532004Narrow-band band-pass filters on silicon substrates at 30 GHzYu, D.S.; Cheng, C.F.; Chan, K.T.; Chin, A.; McAlister, S.P.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.L.
142005New insights in hf based high-k gate dielectrics in mosfetsLi, M.-F. ; Zhu, C. ; Shen, C.; Yu, X.F.; Wang, X.P.; Feng, Y.P. ; Du, A.Y.; Yeo, Y.C. ; Samudra, G. ; Chin, A. ; Kwong, D.L. 
15Jun-2006Physical and electrical characteristics of high-κ gate dielectric Hf(1-x)LaxOyWang, X.P.; Li, M.F. ; Chin, A. ; Zhu, C.X. ; Shao, J.; Lu, W.; Shen, X.C.; Yu, X.F.; Chi, R.; Shen, C.; Huan, A.C.H.; Pan, J.S.; Du, A.Y.; Lo, P.; Chan, D.S.H. ; Kwong, D.-L. 
16Jun-2003PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applicationsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.F. ; Yu, X.; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
172003RF Passive Devices on Si with Excellent Performance Close to Ideal Devices Designed by Electro-Magnetic SimulationChin, A.; Chan, K.T.; Huang, C.H.; Chen, C.; Liang, V.; Chen, J.K.; Chien, S.C.; Sun, S.W.; Duh, D.S.; Lin, W.J.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; McAlister, S.P.; Kwong, D.-L.
18Jun-2004RF, DC, and reliability characteristics of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors for Si RF IC applicationsDing, S.-J. ; Hu, H.; Zhu, C. ; Kim, S.J. ; Yu, X.; Li, M.-F. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Yu, M.B.; Rustagi, S.C.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
192004Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodesZhu, S. ; Chen, J. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Zhu, C. ; Chan, D.S.H. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
20May-2004Schottky-barrier S/D MOSFETs with high-K gate dielectrics and metal-gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H. ; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.