1. ScholarBank@NUS

Chunxiang Zhu

rp01634

Collaboration Map View Statistics Email Alert RSS Feed

Profile

Full Name
Chunxiang Zhu
Variants
Zhu, C.-X.
Zhu, C.X.
ZHU, CHUNXIANG
Zhu Chunxiang
Zhu, C.
 
Main Affiliation
 
Faculty
 
Email
elezhucx@nus.edu.sg
 

Publications

Refined By:
Author:  Chin, A.
Author:  Kwong, D.-L.

Results 21-40 of 45 (Search time: 0.006 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
212005High capacitance density (> 17 fF/μm2) Nb 2O5-based MIM capacitors for future RF IC applicationsKim, S.-J. ; Cho, B.J. ; Yu, M.B.; Li, M.-F. ; Xiong, Y.-Z.; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
222003High density RF MIM capacitors using high-κ AlTaOx dielectricsHuang, C.H.; Yang, M.Y.; Chin, A.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.-L.
232004High mobility and excellent electrical stability of MOSFETs using a novel HfTaO gate dielectricYu, X.; Zhu, C. ; Wang, X.P.; Li, M.F. ; Chin, A.; Du, A.Y.; Wang, W.D.; Kwong, D.-L.
242003High Performance ALD HfO 2-Al 2O 3 Laminate MIM Capacitors for RF and Mixed Signal IC ApplicationsHu, H.; Ding, S.-J. ; Lim, H.F. ; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kim, S.J. ; Yu, X.F.; Chen, J.H. ; Yong, Y.F.; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Rustagi, S.C.; Yu, M.B.; Tung, C.H.; Du, A.; My, D.; Foo, P.D.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
252004High performance metal-gate/high-κ MOSFETs and GaAs compatible RF passive devices on Ge-on-insulator technologyChin, A.; Kao, H.L.; Yu, D.S.; Liao, C.C.; Zhu, C. ; Li, M.-F. ; Zhu, S. ; Kwong, D.-L.
26May-2003High-density MIM capacitors using AlTaOx dielectricsYang, M.Y.; Huang, C.H.; Chin, A.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.-L.
27Dec-2003High-Performance MIM Capacitor Using ALD High-κ HfO 2-Al2O3 Laminate DielectricsDing, S.-J. ; Hu, H.; Lim, H.F. ; Kim, S.J. ; Yu, X.F.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Rustagi, S.C.; Yu, M.B.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
28Aug-2004Improvement of voltage linearity in high-κ MIM capacitors using HfO2-SiO2 stacked dielectricKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Ding, S.-J. ; Zhu, C. ; Yu, M.B.; Narayanan, B.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
292003Investigation of Performance Limits of Germanium Double-Gated MOSFETsLow, T.; Hou, Y.T. ; Li, M.F. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Samudra, G. ; Chan, L.; Kwong, D.-L.
30Jul-2003Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitorsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
31Sep-2005Metal-insulator-metal RF bypass capacitor using niobium oxide (Nb2O5) with HfO2/Al2O3 barriersKim, S.-J. ; Cho, B.J. ; Yu, M.B.; Li, M.-F. ; Xiong, Y.-Z.; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
322003Microwave coplanar filters on Si substratesChan, K.T.; Chin, A.; Kuo, J.T.; Chang, C.Y.; Duh, D.S.; Lin, W.J.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kwong, D.-L.
33Feb-2003MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectricsHu, H.; Zhu, C. ; Yu, X.; Chin, A. ; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Kwong, D.-L.; Foo, P.D.; Yu, M.B.; Liu, X.; Winkler, J.
342003MIM capacitors with HfO2 and HfAlOx for Si RF and analog applicationsYu, X.; Zhu, C. ; Hu, H.; Chin, A.; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Kwong, D.-L.; Foo, P.D.; Yu, M.B.
35Jul-2004Mobility enhancement in TaN metal-gate MOSFETs using tantalum incorporated HfO2 gate dielectricYu, X.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Chin, A.; Yu, M.B.; Du, A.Y.; Kwong, D.-L.
36Nov-2005Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETsLow, T.; Li, M.-F. ; Samudra, G. ; Yeo, Y.-C. ; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
37Jun-2006Physical and electrical characteristics of high-κ gate dielectric Hf(1-x)LaxOyWang, X.P.; Li, M.F. ; Chin, A. ; Zhu, C.X. ; Shao, J.; Lu, W.; Shen, X.C.; Yu, X.F.; Chi, R.; Shen, C.; Huan, A.C.H.; Pan, J.S.; Du, A.Y.; Lo, P.; Chan, D.S.H. ; Kwong, D.-L. 
38Jun-2003PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applicationsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.F. ; Yu, X.; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
392003RF Passive Devices on Si with Excellent Performance Close to Ideal Devices Designed by Electro-Magnetic SimulationChin, A.; Chan, K.T.; Huang, C.H.; Chen, C.; Liang, V.; Chen, J.K.; Chien, S.C.; Sun, S.W.; Duh, D.S.; Lin, W.J.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; McAlister, S.P.; Kwong, D.-L.
40Jun-2004RF, DC, and reliability characteristics of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors for Si RF IC applicationsDing, S.-J. ; Hu, H.; Zhu, C. ; Kim, S.J. ; Yu, X.; Li, M.-F. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Yu, M.B.; Rustagi, S.C.; Chin, A.; Kwong, D.-L.