1. ScholarBank@NUS

Chunxiang Zhu

rp01634

Collaboration Map View Statistics Email Alert RSS Feed

Profile

Full Name
Chunxiang Zhu
Variants
Zhu, C.-X.
Zhu, C.X.
ZHU, CHUNXIANG
Zhu Chunxiang
Zhu, C.
 
Main Affiliation
 
Faculty
 
Email
elezhucx@nus.edu.sg
 

Publications

Refined By:
Author:  Chin, A.
Author:  Kwong, D.-L.
Author:  Kim, S.J.

Results 1-12 of 12 (Search time: 0.004 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
12004A comparison study of high-density MIM capacitors with ALD HfO 2-Al 2O 3 laminated, sandwiched and stacked dielectricsDing, S.-J. ; Hu, H.; Zhu, C. ; Kim, S.J. ; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
22004Engineering of voltage nonlinearity in high-K MIM capacitor for analog/mixed-signal ICsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Ding, S.-J. ; Yu, M.B.; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
3Oct-2004Evidence and understanding of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors outperforming sandwich counterpartsDing, S.-J. ; Hu, H.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kim, S.J. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Yu, M.B.; Du, A.Y.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
42003HfO2 and Lanthanide-doped HfO2 MIM Capacitors for RF/Mixed IC ApplicationsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L. 
52005High capacitance density (> 17 fF/μm2) Nb 2O5-based MIM capacitors for future RF IC applicationsKim, S.-J. ; Cho, B.J. ; Yu, M.B.; Li, M.-F. ; Xiong, Y.-Z.; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
62003High Performance ALD HfO 2-Al 2O 3 Laminate MIM Capacitors for RF and Mixed Signal IC ApplicationsHu, H.; Ding, S.-J. ; Lim, H.F. ; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Kim, S.J. ; Yu, X.F.; Chen, J.H. ; Yong, Y.F.; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Rustagi, S.C.; Yu, M.B.; Tung, C.H.; Du, A.; My, D.; Foo, P.D.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
7Dec-2003High-Performance MIM Capacitor Using ALD High-κ HfO 2-Al2O3 Laminate DielectricsDing, S.-J. ; Hu, H.; Lim, H.F. ; Kim, S.J. ; Yu, X.F.; Zhu, C. ; Li, M.F. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Rustagi, S.C.; Yu, M.B.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
8Aug-2004Improvement of voltage linearity in high-κ MIM capacitors using HfO2-SiO2 stacked dielectricKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Ding, S.-J. ; Zhu, C. ; Yu, M.B.; Narayanan, B.; Chin, A.; Kwong, D.-L.
9Jul-2003Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitorsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.-F. ; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
10Sep-2005Metal-insulator-metal RF bypass capacitor using niobium oxide (Nb2O5) with HfO2/Al2O3 barriersKim, S.-J. ; Cho, B.J. ; Yu, M.B.; Li, M.-F. ; Xiong, Y.-Z.; Zhu, C. ; Chin, A. ; Kwong, D.-L.
11Jun-2003PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applicationsKim, S.J. ; Cho, B.J. ; Li, M.F. ; Yu, X.; Zhu, C. ; Chin, A.; Kwong, D.-L.
12Jun-2004RF, DC, and reliability characteristics of ALD HfO2-Al2O3 laminate MIM capacitors for Si RF IC applicationsDing, S.-J. ; Hu, H.; Zhu, C. ; Kim, S.J. ; Yu, X.; Li, M.-F. ; Cho, B.J. ; Chan, D.S.H. ; Yu, M.B.; Rustagi, S.C.; Chin, A.; Kwong, D.-L.