Full Name
Osipowicz Thomas
Variants
Osipowitcz, T.
Osipowicz, T.
OSIPOWICZ, THOMAS
Osiposwicz, T.
Thomas, O.
Osipowice, T.
Osipowicz Thomas
 
Main Affiliation
 
Faculty
 
Email
phyto@nus.edu.sg
 

Refined By:
Type:  Conference Paper
Author:  Watt, F.

Results 1-20 of 24 (Search time: 0.005 seconds).

Issue DateTitleAuthor(s)
122-Jan-20032 MeV proton channeling contrast microscopy of LEO GaN thin film structuresOsipowicz, T. ; Teo, E.J. ; Bettiol, A.A. ; Watt, F. ; Hao, M.S.; Chua, S.J.
22002A study of the decomposition of GaN during annealing over a wide range of temperaturesRana, M.A.; Choi, H.W.; Breese, M.B.H. ; Osipowicz, T. ; Chua, S.J. ; Watt, F. 
3Apr-2005An automatic beam focusing system for MeV protonsUdalagama, C.N.B. ; Bettiol, A.A. ; Van Kan, J.A. ; Teo, E.J. ; Breese, M.B.H. ; Osipowicz, T. ; Watt, F. 
42005Analysis of E-field distributions within high-power devices using IBIC microscopyZmeck, M.; Balk, L.J.; Heiderhoff, R.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.
52005Analysis of premature breakdown in high-power devices using IBIC microscopyZmeck, M.; Balk, L.J.; Pugatschow, A.; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. 
6Jul-2001Channeling contrast microscopy on lateral epitaxial overgrown GaNTeo, E.J. ; Osipowicz, T. ; Bettiol, A.A. ; Watt, F. ; Hao, M.S.; Chua, S.J.
720-Mar-2002Characteristics of CVD diamond films in detecting UV, x-ray and alpha particleAhn, J.; Gan, B.; Zhang, Q.; Rusli; Yoon, S.F.; Ligatchev, V.; Wang, S.-G.; Huang, Q.-F.; Chew, K.; Patran, A.-C.; Serban, A.; Liu, M.-H.; Lee, S.; Bettiol, A.A. ; Osipowicz, T. ; Watt, F. 
81997Deep ion beam lithography for micromachining applicationsSpringham, S.V.; Osipowicz, T. ; Sanchez, J.L.; Lee, S.; Watt, F. 
9Apr-2005Determination of local lattice tilt in Si1-xGex virtual substrate using high resolution channeling contrast microscopySeng, H.L. ; Osipowicz, T. ; Zhang, J.; Tok, E.S. ; Watt, F. 
10Apr-2005Fabrication of a free standing resolution standard for focusing MeV ion beams to sub 30 nm dimensionsVan Kan, J.A. ; Shao, P.G. ; Molter, P.; Saumer, M.; Bettiol, A.A. ; Osipowicz, T. ; Watt, F. 
11Sep-2003High-resolution channeling contrast microscopy of compositionally graded Si1-XGeX layersSeng, H.L. ; Osipowicz, T. ; Sum, T.C. ; Breese, M.B.H. ; Watt, F. ; Tok, E.S. ; Zhang, J.
12Jul-2001IBIC analysis of high-power devicesOsipowicz, T. ; Zmeck, M.; Watt, F. ; Fiege, G.; Balk, L.; Niedernostheide, F.; Schulze, H.-J.
132011Investigation of multi-resolution support for MeV ion microscopy imagingWhitlow, H.J.; Norarat, R.; Sajavaara, T.; Laitinen, M.; Ranttila, K.; Heikkinen, P.; Hänninen, V.; Rossi, M.; Jones, P.; Timonen, J.; Gilbert, L.K.; Marjomäki, V.; Ren, M. ; Van Kan, J.A. ; Osipowicz, T. ; Watt, F. 
141997Ion Beam Induced Charge imaging for the failure analysis of semiconductor devicesKolachina, S.; Chan, D.S.H. ; Phang, J.C.H. ; Osipowicz, T. ; Sanchez, J.L.; Watt, F. 
1521-Jan-2004Ion beam induced charge microscopy studies of power diodesZmeck, M.; Balk, L.J.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.
16Jul-2001Micro-RBS study of nickel silicide formationSeng, H.L. ; Osipowicz, T. ; Lee, P.S.; Mangelinck, D.; Sum, T.C. ; Watt, F. 
17Sep-2003Modeling of deep buried structures in high-power devices based on proton beam induced charge microscopyZmeck, M.; Balk, L.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J. ; Khambadkone, A. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.
18Feb-2013Objective improvement of the visual quality of ion microscope imagesNorarat, R.; Whitlow, H.J.; Ren, M. ; Osipowicz, T. ; Van Kan, J.A. ; Timonen, J.; Watt, F. 
19May-2002Optimal geometry for GeSi/Si super-lattice structure RBS investigationWielunski, L.S.; Osipowicz, T. ; Teo, E.J. ; Watt, F. ; Tok, E.S. ; Zhang, J.
20May-2002Proton beam micromachined resolution standards for nuclear microprobesWatt, F. ; Rajta, I. ; Van Kan, J.A. ; Bettiol, A.A. ; Osipowicz, T.