Browsing by Author Schulze, H.-J.

Showing results 1 to 7 of 7
Issue DateTitleAuthor(s)
2005Analysis of E-field distributions within high-power devices using IBIC microscopyZmeck, M.; Balk, L.J.; Heiderhoff, R.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.
Sep-2001Analysis of high-power devices using proton beam induced charge microscopyZmeck, M.; Phang, J. ; Bettiol, A. ; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Balk, L.; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.; Falck, E.; Barthelmess, R.
2000Analysis of high-power devices using proton beam induced currentsZmeck, M.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Niedernostheide, F.; Schulze, H.-J.; Fiege, G.B.M.; Balk, L.
2005Analysis of premature breakdown in high-power devices using IBIC microscopyZmeck, M.; Balk, L.J.; Pugatschow, A.; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. 
Jul-2001IBIC analysis of high-power devicesOsipowicz, T. ; Zmeck, M.; Watt, F. ; Fiege, G.; Balk, L.; Niedernostheide, F.; Schulze, H.-J.
21-Jan-2004Ion beam induced charge microscopy studies of power diodesZmeck, M.; Balk, L.J.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J.C.H. ; Khambadkone, A.M. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.
Sep-2003Modeling of deep buried structures in high-power devices based on proton beam induced charge microscopyZmeck, M.; Balk, L.; Osipowicz, T. ; Watt, F. ; Phang, J. ; Khambadkone, A. ; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.-J.