1. ScholarBank@NUS
  2. Research Outputs

Browsing by Author WU RONGQIN

Select a letter below to browse by last name or type
0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


Showing results 1 to 20 of 28  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2007Ab initio study on intrinsic defect properties of germanium nitride considered for gate dielectricYang, M. ; Wang, S.J.; Peng, G.W. ; Wu, R.Q. ; Feng, Y.P. 
2010Adsorption of an Mn atom on a ZnO sheet and nanotube: A density functional theory studyHe, A.L.; Wang, X.Q.; Wu, R.Q. ; Lu, Y.H. ; Feng, Y.P. 
2006Cu-doped GaN: A dilute magnetic semiconductor from first-principles studyWu, R.Q. ; Peng, G.W. ; Liu, L. ; Feng, Y.P. ; Huang, Z.G.; Wu, Q.Y.
19-Sep-2008Disorder and surface effects on work function of Ni-Pt metal gatesXu, G.; Wu, Q.; Chen, Z.; Huang, Z.; Wu, R. ; Feng, Y.P. 
2008Effect of atomic hydrogen on boron-doped germanium: An ab initio studyWu, R.Q. ; Yang, M. ; Feng, Y.P. ; Ouyang, Y.F.
2009Effects of edge passivation by hydrogen on electronic structure of armchair graphene nanoribbon and band gap engineeringLu, Y.H. ; Wu, R.Q. ; Shen, L. ; Yang, M. ; Sha, Z.D.; Cai, Y.Q. ; He, P.M.; Feng, Y.P. 
2009Electronic structures of Β -Si3 N4 (0001) /Si (111) interfaces: Perfect bonding and dangling bond effectsYang, M. ; Wu, R.Q. ; Deng, W.S.; Shen, L. ; Sha, Z.D.; Cai, Y.Q. ; Feng, Y.P. ; Wang, S.J.
2006Ferromagnetism in Mg-doped AlN from ab initio studyWu, R.Q. ; Peng, G.W. ; Liu, L. ; Feng, Y.P. ; Huang, Z.G.; Wu, Q.Y.
2009Ferromagnetism in semiconductors doped with non-magnetic elementsFeng, Y.P. ; Pan, H. ; Wu, R.Q. ; Shen, L. ; Ding, J. ; Yi, J.B. ; Wu, Y.H. 
1-May-2006First principles study on the interface of CrSbGaSb heterojunctionWu, R.Q. ; Liu, L. ; Peng, G.W. ; Feng, Y.P. 
2009Glass forming abilities of binary Cu100-x Zrx (34, 35.5, and 38.2 at. %) metallic glasses: A LAMMPS studySha, Z.D.; Wu, R.Q. ; Lu, Y.H. ; Shen, L. ; Yang, M. ; Cai, Y.Q. ; Feng, Y.P. ; Li, Y. 
2008Half-metallic NiO in zinc-blende structure from ab initio calculationsWu, R.Q. ; Feng, Y.P. ; Ouyang, Y.F.; Zhou, P.; Hu, C.H.
2009Impact of oxide defects on band offset at GeO2 /Ge interfaceYang, M. ; Wu, R.Q. ; Chen, Q.; Deng, W.S.; Feng, Y.P. ; Chai, J.W.; Pan, J.S.; Wang, S.J.
2008Interface properties of Ge3N4/Ge (111): Ab initio and x-ray photoemission spectroscopy studyYang, M. ; Peng, G.W. ; Wu, R.Q. ; Deng, W.S.; Shen, L. ; Chen, Q.; Feng, Y.P. ; Chai, J.W.; Pan, J.S.; Wang, S.J.
21-Mar-2005Magnetism in BN nanotubes induced by carbon dopingWu, R.Q. ; Liu, L. ; Peng, G.W. ; Feng, Y.P. 
2011Manipulating absorption and diffusion of H atom on graphene by mechanical strainYang, M. ; Nurbawono, A.; Zhang, C. ; Wu, R. ; Feng, Y. ; Ariando 
29-Aug-2008Mechanism of ferromagnetism in nitrogen-doped ZnO: First-principle calculationsShen, L. ; Wu, R.Q. ; Pan, H.; Peng, G.W. ; Yang, M. ; Sha, Z.D.; Feng, Y.P. 
30-Mar-2010Origin of d0 magnetism in II-VI and III-V semiconductors by substitutional doping at anion siteYang, K.; Wu, R. ; Shen, L. ; Feng, Y.P. ; Dai, Y.; Huang, B.
1-Jan-2006Phase transition mechanism in KIO3 single crystalsLiu, L. ; Wu, R.Q. ; Ni, Z.H.; Shen, Z.X. ; Feng, Y.P. 
2007Possible efficient p-type doping of AlN using Be: An ab initio studyWu, R.Q. ; Shen, L. ; Yang, M. ; Sha, Z.D.; Cai, Y.Q. ; Feng, Y.P. ; Huang, Z.G.; Wu, Q.Y.
Showing results 1 to 20 of 28  next >