Browsing by Author CHEN JINGDE

Select a letter below to browse by last name or type
0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z


Showing results 1 to 20 of 21  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2006Demonstration of a new approach towards 0.25V Low-Vt CMOS using Ni-based FUSIYu, H.Y.; Kittl, J.A.; Lauwers, A.; Singanamalla, R.; Demeurisse, C.; Kubicek, S.; Augendre, E.; Veloso, A.; Brus, S.; Vrancken, C.; Hoffmann, T.; Mertens, S.; Onsia, B.; Verbeeck, R.; Demand, M.; Rothchild, A.; Froment, B.; Van Dal, M.; De Meyer, K.; Li, M.F. ; Chen, J.D. ; Jurczak, M.; Absil, P.P.; Biesemans, S.
2009Effective modulation of quadratic voltage coefficient of capacitance in MIM capacitors using Sm2O3SiO2 dielectric stackYang, J.-J.; Chen, J.-D. ; Wise, R.; Steinmann, P.; Yu, M.-B.; Kwong, D.-L.; Li, M.-F.; Yeo, Y.-C. ; Zhu, C. 
2007Interface barrier abruptness and work function requirements for scaling Schottky source-drain MOS transistorsAgrawal, N.; Chen, J. ; Hui, Z.; Yeo, Y.-C. ; Lee, S. ; Chan, D.S.H. ; Li, M.-F. ; Samudra, G.S. 
Oct-2004Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrodeZhu, S. ; Yu, H.Y. ; Chen, J.D. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Zhu, C. ; Lee, S.J. ; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Yoo, W.J. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
15-Nov-2006Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN N. ; MINGFU LI N. ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE; KITTL JORGE ADRIAN
15-Aug-2007Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN N. ; MINGFU LI N. ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE; KITTL JORGE ADRIAN
13-Jun-2007Low work function metal alloyYU HONGYU; JINGDE CHEN ; MINGFU LI ; KWONG DIM-LEE ; BIESEMANS SERGE
17-Mar-2009Method of forming a Yb-doped Ni full silicidation low work function gate electrode for n-MOSFETYU, HONGYU ; JINGDE, CHEN ; MINGFU, LI ; KWONG, DIM-LEE ; BIESEMANS, SERGE; KITTL, JORGE ADRIAN
2005Modulation of the Ni FUSI workfunction by Yb doping: From midgap to n-type band-edgeYu, H.Y.; Chen, J.D. ; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Kwong, D.L.; Van Dal, M.; Kittl, J.A.; Lauwers, A.; Augendre, E.; Kubicek, S.; Zhao, C.; Bender, H.; Brijs, B.; Geenen, L.; Benedetti, A.; Absil, P.; Jurczak, M.; Biesemans, S.
Aug-2004N-type Schottky barrier source/drain MOSFET using Ytterbium silicideZhu, S. ; Chen, J. ; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Singh, J.; Zhu, C.X. ; Du, A.; Tung, C.H.; Chin, A.; Kwong, D.L.
2005New developments in Schottky source/drain high-k/metal gate CMOS transistorsLi, M.-F. ; Lee, S. ; Zhu, S. ; Li, R.; Chen, J. ; Chin, A. ; Kwong, D.L.
Oct-2007NMOS compatible work function of TaN metal gate with erbium-oxide-doped hafnium oxide gate dielectricChen, J. ; Wang, X.P.; Li, M.-F. ; Lee, S.J. ; Yu, M.B.; Shen, C.; Yeo, Y.-C. 
Oct-2009Performance Improvement of Sm2O3 MIM capacitors by using plasma treatment after dielectric formationYang, J.-J.; Chen, J.-D. ; Wise, R.; Yeo, Y.-C. ; Zhu, C. 
2009Physical and electrical characterization of metal-insulator-metal capacitors with Sm2O3 and Sm2 O3/SiO2 laminated dielectrics for analog circuit applicationsChen, J.-D. ; Yang, J.-J.; Wise, R.; Steinmann, P.; Yu, M.-B.; Zhu, C. ; Yeo, Y.-C. 
Feb-2004Robust High-Quality HfN-HfO 2 Gate Stack for Advanced MOS Device ApplicationsYu, H.Y. ; Kang, J.F. ; Ren, C.; Chen, J.D. ; Hou, Y.T. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Chan, D.S.H. ; Bera, K.L.; Tung, C.H.; Kwong, D.-L.
17-Mar-2009Schottky barrier source/drain n-mosfet using ytterbium silicideZHU, SHIYANG ; CHEN, JINGDE ; LEE, SUNGJOO ; LI, MING FU ; SINGH, JAGAR; ZHU, CHUNXIANG ; KWONG, DIM-LEE 
2004Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodesZhu, S. ; Chen, J. ; Yu, H.Y. ; Whang, S.J. ; Chen, J.H. ; Shen, C.; Li, M.F. ; Lee, S.J. ; Zhu, C. ; Chan, D.S.H. ; Du, A.; Tung, C.H.; Singh, J.; Chin, A.; Kwong, D.L.
Dec-2011Some issues in advanced CMOS gate stack performance and reliabilityLi, M.-F. ; Wang, X.P.; Shen, C.; Yang, J.J.; Chen, J.D. ; Yu, H.Y.; Zhu, C. ; Huang, D.
2003Thermally Robust High Quality HfN/HfO 2 Gate Stack for Advanced CMOS DevicesYu, H.Y. ; Kang, J.F. ; Chen, J.D. ; Ren, C.; Hou, Y.T. ; Whang, S.J. ; Li, M.-F. ; Chan, D.S.H. ; Bera, K.L.; Tung, C.H.; Du, A.; Kwong, D.-L.
Jan-2008Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectricWang, X.P.; Li, M.-F. ; Yu, H.Y.; Yang, J.J.; Chen, J.D. ; Zhu, C.X. ; Du, A.Y.; Loh, W.Y.; Biesemans, S.; Chin, A.; Lo, G.Q.; Kwong, D.-L.